[发明专利]一种flash译码电路和flash译码方法有效

专利信息
申请号: 201811173366.3 申请日: 2018-10-09
公开(公告)号: CN109273031B 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 聂玉庆;许悦 申请(专利权)人: 珠海格力电器股份有限公司
主分类号: G11C16/08 分类号: G11C16/08;G11C29/00
代理公司: 南京知识律师事务所 32207 代理人: 李湘群
地址: 519070*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种flash译码电路和flash译码方法,包括master访问电路、flash启动电路、infopage启动电路、sram启动电路和flash访问电路,指定flash地址空间、infopage区域和sram区域的一种,选择master访问,或cpu从flash、infopage区域、sram区域的一个启动,产生访问flash信号。本发明用于确定Flash物理空间,向客户提供差异化Flash访问,只要实际访问的空间不超过Flash有效物理地址空间大小,可以进行地址空间组合,当某段地址空间出现瑕疵时,通过地址映射转移到另一段空间,确保访问Flash空间的连续性,提高芯片良率,在访问Flash地址空间时检测可用性,保证访问成功。
搜索关键词: 一种 flash 译码 电路 方法
【主权项】:
1.一种flash译码电路,其特征在于,包括:master访问电路、flash启动电路、infopage启动电路、sram启动电路、flash访问电路;master访问电路,选择master访问指定的flash地址空间,产生master访问flash片选信号,发送至flash访问电路;flash启动电路,选择cpu从指定的flash地址空间启动,产生cpu从flash启动的片选信号,发送至flash访问电路;infopage启动电路,选择cpu从指定的infopage地址空间启动,产生cpu从infopage启动的片选信号,发送至flash访问电路;sram启动电路,选择cpu从指定的sram地址空间启动,产生cpu从sram启动的片选信号,发送至flash访问电路;flash访问电路,选择master访问flash或cpu从flash、infopage、sram任一启动,产生访问flash信号,发送至指定flash地址空间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海格力电器股份有限公司,未经珠海格力电器股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811173366.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top