[发明专利]一种flash译码电路和flash译码方法有效
申请号: | 201811173366.3 | 申请日: | 2018-10-09 |
公开(公告)号: | CN109273031B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 聂玉庆;许悦 | 申请(专利权)人: | 珠海格力电器股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08;G11C29/00 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 李湘群 |
地址: | 519070*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种flash译码电路和flash译码方法,包括master访问电路、flash启动电路、infopage启动电路、sram启动电路和flash访问电路,指定flash地址空间、infopage区域和sram区域的一种,选择master访问,或cpu从flash、infopage区域、sram区域的一个启动,产生访问flash信号。本发明用于确定Flash物理空间,向客户提供差异化Flash访问,只要实际访问的空间不超过Flash有效物理地址空间大小,可以进行地址空间组合,当某段地址空间出现瑕疵时,通过地址映射转移到另一段空间,确保访问Flash空间的连续性,提高芯片良率,在访问Flash地址空间时检测可用性,保证访问成功。 | ||
搜索关键词: | 一种 flash 译码 电路 方法 | ||
【主权项】:
1.一种flash译码电路,其特征在于,包括:master访问电路、flash启动电路、infopage启动电路、sram启动电路、flash访问电路;master访问电路,选择master访问指定的flash地址空间,产生master访问flash片选信号,发送至flash访问电路;flash启动电路,选择cpu从指定的flash地址空间启动,产生cpu从flash启动的片选信号,发送至flash访问电路;infopage启动电路,选择cpu从指定的infopage地址空间启动,产生cpu从infopage启动的片选信号,发送至flash访问电路;sram启动电路,选择cpu从指定的sram地址空间启动,产生cpu从sram启动的片选信号,发送至flash访问电路;flash访问电路,选择master访问flash或cpu从flash、infopage、sram任一启动,产生访问flash信号,发送至指定flash地址空间。
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