[发明专利]半导体器件的辐射损伤可靠性评估方法及装置有效
| 申请号： | 201811174784.4 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN109492253B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 王群勇 | 申请（专利权）人： | 北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F111/08 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 100089 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体器件的辐射损伤可靠性评估方法及装置，所述方法包括：获取在预设试验应力水平值条件下进行试验得到的样品生存概率值；将所述预设试验应力水平值，所述样品生存概率值，以及半导体器件的累计辐射剂量的预估值，输入至预设计算模型，输出所述半导体器件的生存概率值；根据所述半导体器件的生存概率值，评估所述半导体器件的可靠性。本发明实施例提供的半导体器件的辐射损伤可靠性评估方法及装置，利用预设试验应力水平值条件下的非完全试验数据，获取半导体器件的生存概率值，并根据生存概率值评估半导体器件的可靠性，减少了资源浪费，提高了评估效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 辐射损伤 可靠性 评估 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的辐射损伤可靠性评估方法，其特征在于，包括：获取在预设试验应力水平值条件下进行试验得到的样品生存概率值；将所述预设试验应力水平值，所述样品生存概率值，以及半导体器件的累计辐射剂量的预估值，输入至预设计算模型，输出所述半导体器件的生存概率值；根据所述半导体器件的生存概率值，评估所述半导体器件的可靠性。
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