[发明专利]一种提高无机钙钛矿量子点发光效率的方法有效
| 申请号： | 201811175215.1 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109461795B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 黄锐;林圳旭;宋捷;张文星 | 申请（专利权）人： | 韩山师范学院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/26;H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 32305 江苏法德东恒律师事务所 | 代理人： | 李媛媛<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 521041广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高无机钙钛矿量子点发光效率的方法。该方法的主要步骤为：利用等离子体化学气相沉积技术制备非晶氮化硅层，利用旋涂法在非晶氮化硅层上涂上一层无机钙钛矿量子点，再进一步利用离子体化学气相沉积技术在无机钙钛矿量子点上制备非晶氮化硅层，以构建非晶氮化硅/无机钙钛矿量子点/非晶氮化硅三明治结构，从而获取由非晶氮化硅包裹着的无机钙钛矿量子点复合结构；最后利用紫外光或蓝光对这种复合结构材料进行辐照，进而获得发光效率增强的无机钙钛矿量子点。本发明的方法可将钙钛矿量子点发光效率提高3倍以上，并能有效缩短提高发光效率所需的光辐照时间。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 无机钙钛矿 发光效率 非晶氮化硅层 氮化硅 非晶 制备 等离子体化学气相沉积技术 复合结构材料 化学气相沉积 三明治结构 紫外光 辐照 复合结构 钙钛矿 光辐照 离子体 旋涂法 构建 蓝光 | ||
【主权项】：
1.一种提高无机钙钛矿量子点发光效率的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：/na)利用化学气相沉积方法，通入反应源气体SiH4和NH3，在衬底上沉积氢化非晶氮化硅薄层，即a-SiNx:H薄膜；/nb)在a-SiNx:H薄膜上，利用旋涂法镀上无机钙钛矿CsPbBr3量子点薄膜，形成a-SiNx:H/CsPbBr3量子点薄膜；/nc)在制备的a-SiNx:H/CsPbBr3量子点薄膜上，利用化学气相沉积方法沉积a-SiNx:H薄膜，得到a-SiNx:H/CsPbBr3/a-SiNx:H复合结构；/nd)利用紫外光或蓝光对步骤c)得到的复合结构进行辐照。/n
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