[发明专利]一种系统级封装结构中的新型电镀填孔工艺

摘要

本发明公开了一种系统级封装结构中的新型电镀填孔工艺，包括如下步骤：101）载板处理步骤、102）底座处理步骤、103）最终载板步骤；本发明提供大大减少电镀时间的一种系统级封装结构中的新型电镀填孔工艺。

主权项

1.一种系统级封装结构中的新型电镀填孔工艺，其特征在于，具体处理包括如下步骤：101）载板处理步骤：通过光刻、刻蚀工艺在载板上表面制作载板TSV孔，载板TSV孔直径范围在1um到1000um，深度在10um到1000um；在载板上表面通过沉积氧化硅或者氮化硅或者直接热氧化形成绝缘层，绝缘层厚度范围在10nm到100um之间；减薄载板下表面，通过研磨、湿法刻蚀和干法刻蚀工艺使载板TSV孔另一端露出；在载板下表面通过沉积氧化硅或者氮化硅或者直接热氧化形成绝缘层，绝缘层厚度范围在10nm到100um之间；在载板下表面涂胶形成载板胶面，采用旋涂法、喷溅法或贴干膜的工艺，胶采用热熔胶、UV胶或激光裂解胶，其厚度范围为1um到100um；102）底座处理步骤：在底座上表面涂胶形成胶面，采用旋涂法、喷溅法或贴干膜的工艺，胶包括热熔胶和UV胶和激光裂解胶，其厚度范围为1um到100um；通过物理溅射、磁控溅射或者蒸镀工艺在胶面上方制作种子层，种子层厚度范围在1nm到100um之间，种子层本身结构为一层或多层，种子层的材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种；或则在底座上表面先制作种子层，再在种子层上涂光刻胶；通过电镀制作金属凸柱，其高度在1um到100um，金属凸柱本身结构采用一层或多层，金属凸柱采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种，其直径范围在1um到1000um之间；103）最终载板步骤：把底座和载板黏在一起，通过对底座加电使载板TSV孔中填铜，再去除底座，对载板进行CMP工艺去除表面残留金属和残胶，得到填充铜的载板结构。