[发明专利]一种侧面散热型密闭射频芯片封装工艺

摘要

本发明公开了一种侧面散热型密闭射频芯片封装工艺，包括如下步骤：101）载体上刻蚀步骤、102）制作RDL和焊盘步骤、103）制作空腔步骤、104）底座上制作凹坑步骤、105）底座上制作TSV步骤、106）底座上制作散热铜柱步骤、107）封装步骤；本发明提供了具有良好的散热作用的一种侧面散热型密闭射频芯片封装工艺。

主权项

1.一种侧面散热型密闭射频芯片封装工艺，其特征在于，具体包括如下步骤：101）载体上刻蚀步骤：在载体正面通过干法刻蚀的方法制作出凹坑，凹坑内填铜；凹坑形状为立方形、倒梯形、圆柱形或者半球形均可，凹坑的尺寸范围在10um到10000um之间，此尺寸包括立方形、倒梯形的长宽高或者圆柱形、半球形的直径或高度；在载体上方设置绝缘层，绝缘层厚度范围在10nm到100um之间；在绝缘层上方设置种子层，种子层厚度范围在1nm到100um，种子层本身为是一层或多层结构，种子层采用是钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或者多种；其中凹坑内填铜采用电镀铜，使铜金属充满凹坑，并且在200到500度温度下进行密化，通过CMP工艺使载体表面的铜去除，只留下填铜；102）制作RDL和焊盘步骤：在载体侧面制作RDL即重布线层，先设置绝缘层，该绝缘层厚度范围在10nm到1000um之间，通过光刻，电镀工艺在硅片表面制作RDL，RDL包括走线和键合，此中焊盘高度在10nm到1000um之间；103）制作空腔步骤：在载体表面通过光刻和干法刻蚀工艺制作硅空腔，硅空腔深度在10nm到400um，硅空腔形状为方形、梯形或圆形，硅空腔的边长或者直径范围在10um到40000um之间；104）底座上制作凹坑步骤：另一个作为底座的载体上进行步骤101）的处理，并设置相应的凹坑，并凹坑内填铜；105）底座上制作TSV步骤：通过光刻，刻蚀工艺在步骤104的作为底座的载体表面制作TSV孔，孔直径范围在1um到1000um，深度在10um到1000um，并且进行步骤102）的处理，其中焊盘和RDL处于同一面的，且位于TSV铜柱露出的一端；对作为底座的载体的TSV铜柱的另一端进行减薄后，通过研磨、湿法腐蚀和干法刻蚀的工艺使铜柱另一端露出；在露出的铜柱表面覆盖绝缘层，通过光刻、刻蚀工艺在绝缘层表面开窗，开窗后使铜柱露出；106）底座上制作散热铜柱步骤：通过光刻、电镀工艺在作为底座的载体表面制作散热柱，散热柱高度范围在10nm到1000um，散热柱采用铜、铝、镍、银、金、锡材料中的一种或几种，散热柱本身采用一层或多层结构，其高度范围为10nm到1000um；107）封装步骤：把功能芯片焊接在作为底座的载体上，打线引出信号，把步骤101）的载体通过焊盘金属熔融键合，盖在底座晶圆上，键合温度范围在200到500度；切割键合载体成单个封装结构，通过焊接的形式置于基板或PCB板的凸出导电柱上。