[发明专利]一种具有电磁屏蔽功能的射频模块制作工艺

摘要

本发明公开了一种具有电磁屏蔽功能的射频模块制作工艺，包括如下步骤：101）盖板处理步骤、102）底座处理步骤、103）封装步骤；本发明提供具有良好电磁屏蔽的效果的一种具有电磁屏蔽功能的射频模块制作工艺。

主权项

1.一种具有电磁屏蔽功能的射频模块制作工艺，其特征在于，结构上包括盖板、底座和载体，具体处理包括如下步骤：101）盖板处理步骤：在盖板的表面制作焊垫，其过程包括制作绝缘层，绝缘层厚度范围在10nm到1000um，绝缘层材料采用氧化硅或者氮化硅；再通过光刻、电镀工艺在绝缘层的一面制作键合金属形成焊盘，焊盘高度范围在10nm到1000um，焊盘的金属采用铜，铝，镍，银，金，锡中的一种或者几种，本身结构为一层或者几层；通过光刻、干法刻蚀在盖板与焊垫相对的一面上制作空腔，空腔采用立方形、倒梯形、圆柱形或者半球形，空腔的尺寸范围在10um到10000um之间，其尺寸包括立方形、倒梯形的长宽高或者圆柱形、半球形的直径、高度；在有空腔的一面制作绝缘层，绝缘层采用沉积的氧化硅或者氮化硅，或者直接热氧化形成，绝缘层厚度范围在10nm到100um之间；通过物理溅射、磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层，种子层厚度范围在1nm到100um，种子层本身结构采用一层或者多层结构，种子层的金属材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或者多种；通过电镀铜方法，使铜金属覆盖空腔表面，CMP工艺或者湿法刻蚀工艺使盖板表面种子层去除铜，使盖板的表面只剩下绝缘层和焊垫；102）底座处理步骤：通过光刻、刻蚀工艺在底座表面制作TSV孔，TSV孔直径范围在1um到1000um，深度在10um到1000um；在底座上方通过沉积氧化硅或者氮化硅或者直接热氧化来形成绝缘层，，绝缘层厚度范围在10nm到100um之间；通过物理溅射、磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层，种子层厚度范围在1nm到100um，种子层本身结构为一层或者多层，种子层的金属采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或者几种；通过电镀铜，使铜金属充满TSV孔，200到500度温度下密化；CMP工艺使底座表面铜去除；在底座的表面制作RDL，其过程包括制作绝缘层，绝缘层厚度范围在10nm到1000um，绝缘层采用氧化硅或者氮化硅材料；通过光刻、干法刻蚀工艺开窗，使TSV孔内的铜柱能与RDL连接；通过光刻、电镀工艺在底座表面制作RDL；RDL包括走线和键合功能；通过光刻、电镀工艺在硅片表面制作键合金属形成焊盘，焊盘高度范围在10nm到1000um，键合金属采用铜、铝、镍、银、金、锡中的一种或者多种，键合金属本身结构采用一层或者多层；此处焊盘和RDL位于TSV铜柱露出的同一面；对底座的另一面进行减薄，通过研磨、湿法腐蚀、干法刻蚀的工艺使铜柱另一端露出；在露出的铜柱表面覆盖绝缘层，绝缘层厚度范围在10nm到1000um，绝缘层采用氧化硅或者氮化硅；通过光刻、刻蚀工艺在绝缘层表面开窗使铜柱露出；在该表面同样制作RDL和键合金属；103）封装步骤：把功能芯片置于底座晶圆的焊盘上，通过打线工艺将功能芯片联通，把盖板置于载板上，通过金属键合的工艺把盖板和底座键合在一起，把其他功能芯片焊接在底座上，切割完成单个模组工艺。