[发明专利]一种金属做密闭壳体的射频芯片系统级封装结构及工艺有效

专利信息
申请号: 201811176941.5 申请日: 2018-10-10
公开(公告)号: CN110010556B 公开(公告)日: 2021-01-22
发明(设计)人: 冯光建;郑赞赞;王永河;马飞;程明芳;郭丽丽;郁发新 申请(专利权)人: 浙江集迈科微电子有限公司
主分类号: H01L23/10 分类号: H01L23/10;H01L23/552;H01L21/48;H01L21/52
代理公司: 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 代理人: 董世博
地址: 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供一种金属做密闭壳体的射频芯片系统级封装结构,包括底座晶圆和盖板晶圆,底座晶圆和盖板晶圆通过晶圆级工艺键合在一起,底座晶圆和盖板晶圆的外表面均设有绝缘层,底座晶圆的中部设有TSV布孔区域,TSV布孔区域内设有多个并行排列的TSV孔,这些TSV孔在厚度方向上贯穿底座晶圆,TSV孔内铸铜形成TSV铜柱,在布孔区域的上表面设有上部RDL结构,在布孔区域的下表面设有下部RDL结构,TSV铜柱的上下两端分别连接上部RDL结构和下部RDL结构,上部RDL结构的上表面连接功能芯片,底座晶圆在布孔区域以外的部分设有底座金属件;本发明还提供上述结构的封装工艺。本发明不需要做TSV和空腔结构,适合大量制造和批量生产。
搜索关键词: 一种 金属 密闭 壳体 射频 芯片 系统 封装 结构 工艺
【主权项】:
1.一种金属做密闭壳体的射频芯片系统级封装结构,其特征是,包括底座晶圆和盖板晶圆,底座晶圆和盖板晶圆通过晶圆级工艺键合在一起,底座晶圆和盖板晶圆的外表面均设有绝缘层,底座晶圆的中部设有TSV布孔区域,TSV布孔区域内设有多个并行排列的TSV孔,这些TSV孔在厚度方向上贯穿底座晶圆,TSV孔内铸铜形成TSV铜柱,在布孔区域的上表面设有上部RDL结构,在布孔区域的下表面设有下部RDL结构,TSV铜柱的上下两端分别连接上部RDL结构和下部RDL结构,上部RDL结构的上表面连接功能芯片,底座晶圆在布孔区域以外的部分设有底座金属件;盖板晶圆的下表面设有盖板金属件,底座金属件和盖板金属件焊接固定。
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