[发明专利]用以接合衬底的装置及方法有效
| 申请号： | 201811176950.4 | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN109449082B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | T.瓦根莱特纳;M.温普林格;P.林德纳;T.普拉赫;F.库尔茨 | 申请（专利权）人： | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元 |
| 地址： | 奥地利圣*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用以接合衬底的装置及方法，其中在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上安置该第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳该第二衬底(8);在接合起始位点(20)上接触该接触表面(3k、8k);沿着自该接合起始位点(20)行进至该衬底(3、8)的侧边缘(3s、8s)的接合波将该第一衬底(3)接合至该第二衬底(8)，其中该第一衬底(3)和/或该第二衬底(8)经变形以在该接合之前和/或在该接合期间使该接触表面(3k、8k)在该接合起始位点(20)外对准。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 接合 衬底 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用以将第一衬底(3)和第二衬底(8)在衬底(3、8)的接触表面(3k、8k)上接合的方法，其具有以下步骤：‑在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上接纳所述第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳所述第二衬底(8)，‑在接合起始位点(20)上接触所述接触表面(3k、8k)，‑沿着自所述接合起始位点(20)行进至所述衬底(3、8)的侧边缘(3s、8s)的接合波将所述第一衬底(3)与所述第二衬底(8)接合，其特征在于：所述第一衬底(3)和/或所述第二衬底(8)经变形以在所述接合之前和/或在接合期间使所述接触表面(3k、8k)在所述接合起始位点(20)外对准，可控地实现所述衬底从所述接纳设备脱离，以及提高所述衬底的边缘的接合精度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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