[发明专利]量子点光调制器以及包括该量子点光调制器的装置在审
| 申请号： | 201811177146.8 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN110031989A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 李斗铉;R.索科延;呂宥蓉;G.K.什玛内什;H.阿特瓦特;R.帕拉;白瓒郁 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;加州理工学院 |
| 主分类号： | G02F1/017 | 分类号： | G02F1/017 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种量子点(QD)光调制器以及包括该QD光调制器的装置。QD光调制器可以包括：含QD层，包括具有发光特性的QD；折射率变化层，与含QD层相邻地布置；以及反射器，布置为面对含QD层。折射率变化层可以包括其中载流子密度变化的载流子密度变化区，并且载流子密度变化区可以与含QD层相邻地布置。含QD层的发光特性可以根据折射率变化层的性质的变化来调制。QD光调制器还可以包括布置在含QD层上的纳米天线结构。 | ||
| 搜索关键词： | 光调制器 载流子 折射率变化层 密度变化 量子点 发光特性 纳米天线 装置提供 反射器 调制 | ||
【主权项】：
1.一种量子点(QD)光调制器，包括：含QD层，包括具有发光特性的多个QD；折射率变化层，与所述含QD层相邻地布置；以及反射器，布置为面对所述含QD层，其中所述QD光调制器配置为根据所述折射率变化层的性质的变化来调制所述含QD层的发光特性。
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