[发明专利]一种基于TM模式的介质双模带通滤波器及控制方法有效
| 申请号： | 201811178035.9 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109149037B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 王旭光;王晶;杨维明;彭菊红 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01P1/207 | 分类号： | H01P1/207;H01P1/16 |
| 代理公司： | 11401 北京金智普华知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于微波通信技术领域，公开了一种基于TM模式的介质双模带通滤波器及控制方法，滤波器包括介质谐振器，所述介质谐振器的外表面镀银；通过所述介质谐振器的半径控制其谐振模式的谐振频率；在所述介质谐振器两个谐振模式的磁场分布交加处开一个通孔，通过所述通孔控制介质谐振器两个谐振模式之间的耦合强度；在与所述介质谐振器谐振模式电场平行的方向引入同轴探针作为端口耦合结构，通过所述同轴探针的位置及同轴探针内导体的长度控制外部品质因数。本发明的介质双模带通滤波器结构简单，体积小，实现方便，采用介质谐振器表面镀银的方法，不需要金属外腔，与传统介质滤波器不同。 | ||
| 搜索关键词： | 介质谐振器 双模带通滤波器 同轴探针 谐振模式 通孔 微波通信 传统介质滤波器 外部品质因数 谐振模式电场 滤波器 外表面镀银 半径控制 表面镀银 长度控制 磁场分布 端口耦合 金属外腔 谐振频率 耦合 内导体 体积小 平行 引入 | ||
【主权项】：
1.一种基于TM模式的介质双模带通滤波器控制方法，其特征在于，所述基于TM模式的介质双模带通滤波器控制方法包括：/n对介质谐振器外表面镀银，利用增大或减小所述介质谐振器的半径控制介质谐振器两个谐振模式的谐振频率；/n在介质谐振器两个谐振模式的磁场分布交加处(即底面水平线和垂直线的角平分处)开一通孔，利用所述通孔的半径和通孔与介质谐振器中心轴线的距离控制介质谐振器两个谐振模式之间的耦合强度；/n在与所述介质谐振器谐振模式电场平行的方向引入同轴探针作为端口耦合结构，同轴探针插入介质谐振器内部；通过所述同轴探针的位置及同轴探针内导体的长度控制外部品质因数；/n实施所述基于TM模式的介质双模带通滤波器控制方法的基于TM模式的介质双模带通滤波器包括圆柱形介质谐振器；/n圆柱形介质谐振器外表面镀有银层，利用圆柱形介质谐振器的半径增大或减小控制圆柱形介质谐振器两个谐振模式的谐振频率；/n在圆柱形介质谐振器两个谐振模式的磁场分布交加处开有通孔。/n
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