[发明专利]一种可寻址的纳米冷阴极平板X射线源及其制备方法在审
| 申请号： | 201811178220.8 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109256310A | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 陈军;黄佳;邓少芝;许宁生;佘峻聪 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01J35/08 | 分类号： | H01J35/08;H01J35/24;H01J9/02 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 林玉芳 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种可寻址的纳米冷阴极平板X射线源，包括阴极基板、阳极基板及高压绝缘隔离体，所述阴极基板和阳极基板通过高压绝缘隔离体相对平行设置；所述阴极基板包括阴极衬底、阴极电极条以及生长源薄膜，该生长源薄膜上生长有纳米线冷阴极；所述阳极基板包括阳极衬底及阳极金属靶电极条；每条阳极金属靶电极条与阴极衬底上的阴极电极条在空间上垂直相交且有一个交叉点，生长源薄膜位于交叉点处。本发明结构简单，通过阴极基板与阳极基板在空间上相互垂直的电极实现寻址功能，且具有可寻址X射线发射能力，在新一代低剂量、高分辨率、快速X射线成像系统中有重要应用。本发明同时公开了所述寻址的纳米冷阴极平板X射线源的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 阳极基板 阴极基板 冷阴极 平板X射线 可寻址 生长源 衬底 薄膜 阴极 阴极电极条 高压绝缘 阳极金属 靶电极 隔离体 制备 阳极 垂直相交 高分辨率 交叉点处 平行设置 寻址功能 重要应用 电极 垂直的 低剂量 纳米线 新一代 寻址 生长 | ||
【主权项】：
1.一种可寻址的纳米冷阴极平板X射线源，包括阴极基板、阳极基板及高压绝缘隔离体；所述阴极基板和阳极基板相对平行设置，所述高压绝缘隔离体设置于阴极基板及阳极基板之间以将两者隔离开，其特征在于：所述阴极基板包括阴极衬底、两条以上平行设置于阴极衬底上的阴极电极条以及多个相互独立设于阴极电极条上的生长源薄膜，该生长源薄膜上生长有纳米线冷阴极；所述阳极基板包括阳极衬底及两条以上平行设置于阳极衬底上的阳极金属靶电极条；所述每条阳极金属靶电极条与阴极衬底上的阴极电极条在空间上垂直相交且有一个交叉点，所述生长源薄膜位于交叉点处。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811178220.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种S波段小型化超构材料扩展互作用振荡器
- 下一篇：一种离子注入方法
