[发明专利]一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法

摘要

本发明涉及光电子技术领域，提供了一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法，包括S1‑S6六个步骤。本发明的一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法采用部分区域设置光栅光刻版，一方面能够改善小发散角DFB激光器的光谱特性，提高良率，另一方面能够有效提高光输出功率；且通过采用反应离子刻蚀技术和非选择性湿法腐蚀形成渐变式波导结构，一方面，结合普通的异质结掩埋工艺，无需对接无源波导，可实现远场发散角为圆形，进一步提高光输出功率，提高器件耦合效率高，从而有效降低光器件TO的封装成本；另一方面，制作工艺与常规异质结掩埋工艺相同，未增加新的工艺，适合批量生产。

主权项

1.一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，制备外延片，且所述外延片的最上层为InP光栅层；S2，于所述InP光栅层上涂覆光刻胶且于部分区域所述光刻胶上通过光栅光刻版形成布拉格光栅区域，其它部分区域为布拉格非光栅区域，且于所述布拉格光栅区域形成光栅图形；S3，将形成有光栅图形的所述光刻胶上依次生长光栅掩埋P型InP层及本征InGaAsP层；S4，于所述本征InGaAsP层上通过一次生长进行脊形掩膜光刻，形成脊条，对所述脊条下方各层结构的两侧均依次进行脊形腐蚀，以使所述脊条下方的各层结构沿腐蚀方向整体呈渐扩状结构；S5，在所述渐扩状结构的两个渐扩的边沿上均进行高温热处理，且在高温热处理后的所述渐扩的边沿上依次生长第一电流阻挡层和第二电流阻挡层，所述第一电流阻挡层为P型InP层，所述第二电流阻挡层为N型InP层；S6，对所述S5步骤后成型的整体结构进行后续工艺，以获得激光器。