[发明专利]用于形成鳍式场效应晶体管的方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 201811178401.0 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN110610859B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 林志翰;高魁佑;张铭庆;杨建伦;陈昭成;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及用于形成鳍式场效应晶体管的方法以及半导体器件。一种方法包括：在半导体区域上方形成虚设栅极电极层，在虚设栅极电极层上方形成掩模条带，以及使用掩模条带作为第一刻蚀掩模来执行第一刻蚀工艺以图案化虚设栅极电极层的较上部分。虚设栅极电极层的较上部分的剩余部分形成虚设栅极电极的较上部。该方法还包括在虚设栅极电极的较上部的侧壁上形成保护层，并在虚设栅极电极层的较下部分上执行第二刻蚀工艺以形成虚设栅极电极的较下部，并且保护层和掩模条带被组合用作第二刻蚀掩模。用替换栅极堆叠替换虚设栅极电极和下面的虚设栅极电介质。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 场效应 晶体管 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成鳍式场效应晶体管的方法，包括：/n在半导体区域上方形成虚设栅极电极层；/n在所述虚设栅极电极层上方形成掩模条带；/n使用所述掩模条带作为第一刻蚀掩模来执行第一刻蚀工艺以图案化所述虚设栅极电极层的较上部分，其中所述虚设栅极电极层的较上部分的剩余部分形成虚设栅极电极的较上部；/n在所述虚设栅极电极的较上部的侧壁上形成保护层；/n在所述虚设栅极电极层的较下部分上执行第二刻蚀工艺以形成所述虚设栅极电极的较下部，其中所述保护层和所述掩模条带被组合用作第二刻蚀掩模；以及/n用替换栅极堆叠替换所述虚设栅极电极和下面的虚设栅极电介质。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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