[发明专利]一种基于碳化硅的漂移阶跃恢复二极管的制备方法及产品

摘要

本发明属于半导体功率器件制备技术领域，公开了一种基于碳化硅的漂移阶跃恢复二极管的制备方法及产品，包括以下步骤：以碳化硅作为N+衬底，在其上依次外延生长掺Ⅴ族元素的N基区、掺Ⅲ族元素的P基区以及掺Ⅲ族元素的重掺杂P+区；采用机械切割斜角配合离子注入的方法或者采用等离子体刻蚀多级结终端扩展(JTE)形成终端保护；在终端上淀积钝化层形成保护层；在所形成的器件两端分别加工形成阴极电极和阳极电极；由此制得基于碳化硅的漂移阶跃恢复二极管；本发明还公开了采用该方法制得的两种基于碳化硅的漂移阶跃恢复二极管；实测结果通过本发明提供的制备方法所制得的漂移阶跃恢复二极管，其阻断电压和工作温度范围有明显提升。

主权项

1.一种基于碳化硅的漂移阶跃恢复二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)以碳化硅为N+衬底，在N+衬底上外延生长掺Ⅴ族元素的N基区；并在N基区上外延生长掺Ⅲ族元素的P基区，在P基区上外延生长掺Ⅲ族元素的重掺杂P+区，获得第一中间件；(2)对所述第一中间件进行终端结构加工，获得第二中间件；(3)在所述二中间件的台面上形成台面保护层，获得第三中间件；(4)在所述第三中间件的N+衬底与重掺杂P+区分别镀上金属，获得第四中间件；将第四中间件置于气氛环境下进行退火处理，获得漂移阶跃恢复二极管；其中，N+衬底所在端形成欧姆接触电极阴极端，重掺杂P+区所在端形成欧姆接触电极阳极端。