[发明专利]一种降低铝电解电容器用低压电极箔漏电流的制备方法

摘要

本发明公开了一种铝电解电容器用低压电极箔的制备方法。该制备方法将将低压腐蚀箔浸渍于的硅烷偶联剂溶液中，施加电压进行一级化成，将一级化成低压腐蚀箔依次进行二级化成和三级化成后置于硼酸和硼砂中，进行一次反向加电，高温热处理后进行四级化成，磷酸钝化处理，进行五级化成，再通过进行二次反向加电，烘干得到铝电解电容器用低压电极箔。本发明的制备方法结合硅烷偶联剂一级化成处理、三级化成后沸水处理和反向加电处理不仅有效的减少了化成箔表面水合氧化铝的含量，而且很好的保护了氧化膜的孔洞结构，制备得到的低压电极箔比容高，损耗低，漏电流明显降低，提升电极箔的耐纹波电流能力，延长电容器的使用寿命。

主权项

1.一种降低铝电解电容器用低压电极箔漏电流的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1. 将低压腐蚀箔浸渍于40~80℃的硅烷偶联剂溶液中，施加2~10V电压，进行一级化成，化成时间为5‑15min；S2. 将S1中的一级化成低压腐蚀箔依次进行二级化成和三级化成，化成后在90℃~100℃的纯水中处理4min~10min；S3. 将S2中的低压腐蚀箔置于质量百分数为4%~9%的硼酸和质量百分数为2%~15%的硼砂中，进行一次反向加电，加电电压同三级化成电压，加电时间为1~5min，反应加电温度为50~90℃；S4. 将S3中的低压腐蚀箔在400~600℃下高温热处理1~3min，进行四级化成，磷酸钝化处理，再进行五级化成，四级化成和五级化成电压同三级化成电压；S5. 将S4中的低压腐蚀箔置于4%~9%的硼酸和2%~15%的硼砂中，进行二次反向加电，加电电压同三级化成电压，加电时间为1~5min，烘干得到铝电解电容器用低压电极箔。