[发明专利]灰阶掩膜板在审
申请号: | 201811179305.8 | 申请日: | 2018-10-10 |
公开(公告)号: | CN109143772A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 万志龙;杨鹏;庄崇营;谭晓彬;柳发霖;于春琦;李林 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 唐维虎 |
地址: | 516600 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供的灰阶掩膜板,包括透明区、非透明区及包括呈多行多列排列的灰阶图案的灰阶区;任意相邻两行的灰阶图案中,其中一行灰阶图案的遮光图案与另一行灰阶图案的透光图案至少部分边缘重合;任意相邻两列的灰阶图案中,其中一列灰阶图案的遮光图案与另一列灰阶图案的透光图案至少部分边缘重合;透光图案的几何中心点到相邻的遮光图案边缘的距离,与所述遮光图案的几何中心点到相邻的透光图案边缘的距离相等。经过上述灰阶掩膜板后的光能均匀作用在灰阶区对应的半曝光区的光刻胶上;控制光刻过程中半曝光区的光刻胶在曝光显影后的显影高度。采用上述掩膜板可以使曝光更加简单,制程成本大幅度降低。 | ||
搜索关键词: | 灰阶图案 灰阶 透光图案 遮光图案 掩膜板 几何中心点 半曝光区 边缘重合 光刻胶 多行多列 非透明区 距离相等 均匀作用 曝光显影 相邻两列 相邻两行 控制光 透明区 光能 显影 掩膜 制程 曝光 申请 | ||
【主权项】:
1.一种灰阶掩膜板,其特征在于,包括透光区、非透光区以及灰阶区,所述灰阶区包括呈多行多列排列的灰阶图案,每一行灰阶图案包括间隔设置的透光图案和遮光图案;任意相邻两行的灰阶图案中,其中一行灰阶图案的遮光图案与另一行灰阶图案的透光图案至少部分边缘重合;任意相邻两列的灰阶图案中,其中一列灰阶图案的遮光图案与另一列灰阶图案的透光图案至少部分边缘重合;所述透光图案的几何中心点到相邻的遮光图案边缘的距离,与所述遮光图案的几何中心点到相邻的透光图案边缘的距离相等。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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