[发明专利]阵列基板制作方法在审
申请号: | 201811180175.X | 申请日: | 2018-10-10 |
公开(公告)号: | CN109244036A | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 吴川 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 亓赢 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种阵列基板制作方法,包括:提供一基板;依序形成栅极层、绝缘层与保护层于基板上;其中,形成金属层于基板上的驱动线路,所述金属层设置于所述基板与所述绝缘层之间,以及所述绝缘层与所述保护层之间的至少其一部位。本申请通过浮接金属层,增加静电释放路径,即使浮接金属层烧毁,亦不会影响显示品质,较能提高产品良率。同时仅需调整光罩图形,故不需调整生产流程。 | ||
搜索关键词: | 金属层 绝缘层 基板 阵列基板 保护层 浮接 影响显示品质 产品良率 静电释放 驱动线路 生产流程 栅极层 光罩 申请 制作 烧毁 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板制作方法,其特征在于,包括:提供一基板;形成金属层于所述基板上,所述金属层设置于源极线的预定设置范围内;形成绝缘层,所述绝缘层覆盖所述金属层而设置于所述基板上;形成有源层在所述绝缘层上,所述有源层位于所述金属层上方;形成保护层,所述保护层覆盖所述有源层而设置于所述绝缘层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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