[发明专利]一种新型电极结构LED倒装芯片及制备方法在审

专利信息
申请号: 201811180592.4 申请日: 2018-10-09
公开(公告)号: CN109148666A 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 吴懿平;区燕杰;吕卫文 申请(专利权)人: 珠海市一芯半导体科技有限公司
主分类号: H01L33/40 分类号: H01L33/40
代理公司: 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 代理人: 王新爱
地址: 519000 广东省珠海市国家高新技术开发区唐家*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种具有新型电极结构的倒装LED芯片,其特征在于,所述的芯片电极结构为层叠结构的镍电极。所述镍电极结构为包含依次生长的应力缓释金属层、含Ni层和盖层金属层等成分的层状结构。所述镍电极应力缓释金属层材料为Cr、Ti、Zn、Al、Cu、Al‑Si合金、Al‑Cu合金、Fe、W、Au、Sn、Pt或Al‑Cu‑Si合金中的一种或几种。所述镍电极的制备方法包括以下步骤:在芯片的电极面金属介质上依次蒸镀、溅镀、化学镀或电镀应力缓释金属层,含Ni层和盖层金属层。所述的新型电极结构的倒装LED芯片可提高LED倒装芯片采用普通锡膏焊料封装的焊接可靠性,同时实现低成本。同时镍电极采用应力缓释金属层结构提高镍层金属镀膜的稳定性,大大提高了生产良率。
搜索关键词: 镍电极 金属层 缓释 新型电极结构 倒装LED芯片 盖层 制备 合金 焊料 焊接可靠性 金属层材料 金属层结构 层叠结构 层状结构 金属镀膜 金属介质 芯片电极 电镀 低成本 电极面 化学镀 溅镀 良率 镍层 锡膏 蒸镀 封装 芯片 生长 生产
【主权项】:
1.一种具有新型电极结构的倒装LED芯片,其特征在于,所述的芯片电极结构为层叠结构的镍电极,所述镍电极结构由内至外为包含依次生长的应力缓释金属层、含Ni层和盖层金属层等成分的层状结构。
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