[发明专利]一种新型电极结构LED倒装芯片及制备方法在审
申请号: | 201811180592.4 | 申请日: | 2018-10-09 |
公开(公告)号: | CN109148666A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 吴懿平;区燕杰;吕卫文 | 申请(专利权)人: | 珠海市一芯半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/40 | 分类号: | H01L33/40 |
代理公司: | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 王新爱 |
地址: | 519000 广东省珠海市国家高新技术开发区唐家*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种具有新型电极结构的倒装LED芯片,其特征在于,所述的芯片电极结构为层叠结构的镍电极。所述镍电极结构为包含依次生长的应力缓释金属层、含Ni层和盖层金属层等成分的层状结构。所述镍电极应力缓释金属层材料为Cr、Ti、Zn、Al、Cu、Al‑Si合金、Al‑Cu合金、Fe、W、Au、Sn、Pt或Al‑Cu‑Si合金中的一种或几种。所述镍电极的制备方法包括以下步骤:在芯片的电极面金属介质上依次蒸镀、溅镀、化学镀或电镀应力缓释金属层,含Ni层和盖层金属层。所述的新型电极结构的倒装LED芯片可提高LED倒装芯片采用普通锡膏焊料封装的焊接可靠性,同时实现低成本。同时镍电极采用应力缓释金属层结构提高镍层金属镀膜的稳定性,大大提高了生产良率。 | ||
搜索关键词: | 镍电极 金属层 缓释 新型电极结构 倒装LED芯片 盖层 制备 合金 焊料 焊接可靠性 金属层材料 金属层结构 层叠结构 层状结构 金属镀膜 金属介质 芯片电极 电镀 低成本 电极面 化学镀 溅镀 良率 镍层 锡膏 蒸镀 封装 芯片 生长 生产 | ||
【主权项】:
1.一种具有新型电极结构的倒装LED芯片,其特征在于,所述的芯片电极结构为层叠结构的镍电极,所述镍电极结构由内至外为包含依次生长的应力缓释金属层、含Ni层和盖层金属层等成分的层状结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海市一芯半导体科技有限公司,未经珠海市一芯半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811180592.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。