[发明专利]形成半导体封装的方法和半导体封装在审
| 申请号： | 201811180691.2 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN109637998A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 张超发;郑家锋;J·奥克伦布尔格 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/64;H01Q1/22;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 韩宏;陈松涛 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 各种实施例提供了一种形成半导体封装的方法。该方法包括布置半导体管芯和第一衬底，其中第一衬底包括第一侧，其中，第一侧包括第一电触点。该方法可以包括形成模制结构以封装半导体管芯和第一衬底。该方法还可以包括在模制结构中提供三维天线以电耦合到第一电触点。各种实施例还提供了一种半导体封装，包括封装在模制结构中的半导体管芯和第一衬底。三维天线设置在模制结构中并电耦合到第一衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体封装 模制结构 半导体管芯 三维天线 电触点 电耦合 封装 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体封装的方法，所述方法包括：提供半导体管芯和第一衬底，其中，所述半导体管芯包括管芯触点，其中，所述第一衬底包括第一侧，并且其中，所述第一侧包括第一电触点；形成模制结构以封装所述半导体管芯和所述第一衬底；以及在所述模制结构中提供三维天线以电耦合到所述第一电触点。
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