[发明专利]一种氧化镍薄膜的生长方法、氧化镍薄膜及其光电器件在审
| 申请号： | 201811181208.2 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN109402565A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 朱红兵;麦耀华;万梅秀;董忠亮 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈燕娴 |
| 地址： | 510632 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种氧化镍薄膜的生长方法，该方法在实际生长氧化镍薄膜之前，先通过设定恒定功率模式，通过逐步增加氧气的流量监测靶电压或阴极电压值，从而获得靶电压或阴极电压随含氧气体流量变化的沉积曲线，根据所述曲线选定所述氧化镍薄膜的溅射参数，进而进行氧化镍薄膜的生长，从而获得所述氧化镍薄膜。本发明的氧化镍薄膜生长方法能够根据沉积曲线预先精确选定实际所需的溅射沉积氧化镍薄膜的沉积参数，从而获得了特定性能的氧化镍薄膜，并且该方法生长的氧化镍薄膜用于光电器件中，其光电器件呈现出了优异的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化镍薄膜 生长 光电器件 沉积 阴极电压 恒定功率模式 含氧气体 溅射沉积 流量变化 流量监测 逐步增加 溅射 氧气 | ||
【主权项】：
1.一种氧化镍薄膜的生长方法，其特征在于，该方法包括：采用直流反应磁控溅射法制备所述氧化镍薄膜，所述直流反应磁控溅射采用恒定功率模式，采用氩气作为溅射气体，含氧气体作为反应气体，所述氩气流量保持恒定；沉积曲线的获得：设定恒定功率，并采用恒定功率模式，通过逐步增加含氧气体的流量监测靶电压或阴极电压值，从而获得靶电压或阴极电压随含氧气体流量变化的所述沉积曲线；根据所述曲线选定所述氧化镍薄膜的溅射参数，进而进行氧化镍薄膜的生长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于暨南大学，未经暨南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811181208.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
