[发明专利]一种可视三温区硒化镓单晶生长装置及生长方法有效
| 申请号： | 201811181541.3 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN109161970B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 朱崇强;陈亮;杨春晖;马天慧;雷作涛;郝树伟 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B11/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙) 23210 | 代理人： | 王艳萍 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种可视三温区硒化镓单晶生长装置及生长方法，它涉及晶体的生长装置及生长方法。本发明是要解决现有的坩埚下降法生长的硒化镓单晶应力分布不均匀、透过率低的技术问题。本发明的置包括外套筒、内套筒、加热电阻丝、环形腔、反射膜、测温热电偶、端盖和保温塞；其中反射膜附于外套筒的内壁；透明材质的外套筒和内套筒之间的环形腔为真空腔，加热电阻丝设置在环形腔中。方法：将硒化镓籽晶放在PBN舟中，并悬空倾斜密封于真空石英管中，将石英管放在生长装置中部，调节三个温区的温度梯度，先将籽晶部分熔化且多晶料全部熔化，然后再降温固化，最后降至室温，得到硒化镓单晶，该单晶的透过率达到64％～66％，可用于民用和国防领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可视 三温区硒化镓单晶 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可视三温区硒化镓单晶生长装置，其特征在于该装置包括外套筒(1)、内套筒(2)、加热电阻丝(3)、环形腔(4)、反射膜(5)、测温热电偶(6)、端盖(7)和保温塞(8)；其中反射膜(5)附于外套筒(1)的内壁；内套筒(2)置于外套筒(1)中，外套筒(1)和内套筒(2)之间的区域为环形腔(4)，加热电阻丝(3)设置在环形腔(4)中，端盖(7)设置在环形腔两端；加热电阻丝(3)分成三组，每组加热电阻丝控制的区域内设置测温热电偶(6)；保温塞(8)设置在内套筒的两端；外套筒(1)与内套筒(2)的材质为透明材质；环形腔(4)为真空腔。
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