[发明专利]多孔III族氮化物及其制备方法有效
| 申请号： | 201811182263.3 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109440180B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 赵丽霞;李晓东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C25F3/12 | 分类号： | C25F3/12;C25F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种多孔III族氮化物及其制备方法，该制备方法包括：在掺杂的III族氮化物薄膜表面沉积一层保护层；利用光刻技术在保护层上表面形成图案化的光刻胶；刻蚀没有光刻胶覆盖的保护层至III族氮化物薄膜表面，暴露III族氮化物；刻蚀暴露的III族氮化物表面至预设深度；将所得III族氮化物作为阳极，进行电化学腐蚀，电化学腐蚀期间施加周期性变化的工作电压，制备具有准周期性的多孔III族氮化物。本发明可成功制备具有准周期性的多孔III族氮化物，通过控制电化学腐蚀过程中工作电压的大小及电压变化周期，可实现孔大小、孔的形状以及周期的调控，方法简单且易操作。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 iii 氮化物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多孔III族氮化物的制备方法，包括：步骤1：将掺杂的III族氮化物薄膜表面沉积一层保护层，所述保护层在电化学腐蚀过程中不会与电解液反应；步骤2：利用光刻技术在所述保护层表面形成图案化的光刻胶；步骤3：刻蚀没有光刻胶覆盖的所述保护层至III族氮化物薄膜表面，暴露出III族氮化物薄膜；步骤4：刻蚀暴露的所述III族氮化物薄膜表面至预设深度，对所述III族氮化物薄膜图案化；步骤5：将步骤4所得III族氮化物作为阳极进行电化学腐蚀，在电化学腐蚀期间施加周期性变化的工作电压，所述电化学腐蚀自所述III族氮化物薄膜的图案的边界开始，并向覆盖有保护层的III族氮化物推进，实现具有准周期性的多孔III族氮化物的制备。
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