[发明专利]一种制备不同类型铟镓锌氧薄膜晶体管的方法有效
| 申请号： | 201811184476.X | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN109378274B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 闫兴振;史恺;周路;边虹宇;李旭;迟耀丹;杨小天 | 申请（专利权）人： | 吉林建筑大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/06;H01L29/24 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种制备不同类型铟镓锌氧薄膜晶体管的方法。本发明通过调整铟镓锌氧薄膜前驱体溶液中铟离子、镓离子和锌离子的摩尔比，得到增强型晶体管或耗尽型晶体管；方法简便、可靠，可降低晶体管制备成本，适于推广使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 不同类型 铟镓锌氧 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备不同类型铟镓锌氧薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：将包括铟盐、镓盐、锌盐、稳定剂和醇醚溶剂的铟镓锌氧薄膜前驱体溶液涂覆在基底上，然后依次进行干燥和退火，得到铟镓锌氧薄膜‑基底复合材料；再在所述铟镓锌氧薄膜‑基底复合材料上制备电极，得到铟镓锌氧薄膜晶体管；制备所述铟镓锌氧薄膜晶体管时，通过调整铟镓锌氧薄膜前驱体溶液中铟离子、镓离子和锌离子的摩尔比，得到增强型晶体管或耗尽型晶体管；所述铟镓锌氧薄膜前驱体溶液中，铟离子、镓离子和锌离子的摩尔比为(2～3):1:(6～7)时，得到增强型铟镓锌氧薄膜晶体管；铟离子、镓离子和锌离子的摩尔比为(5～6):1:(3～4)时，得到耗尽型铟镓锌氧薄膜晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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