[发明专利]半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201811184716.6 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN111048586B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 张乃千;刘健 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 肖丽 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。本发明实施例中的半导体器件通过调节器件的外延结构,对传统器件的电子浓度分布进行调制，改变传统的电子浓度峰值位置，将半导体层中的电子浓度峰值位置从沟道层和势垒层的界面处向靠近过渡层方向移动，并使得半导体沟道层中的电子分布函数交叠，沟道势阱内形成较多的可被电子占据的分立能级，最终扩展成为具有一定宽度的类方形电子沟道势阱，从而有效的改善了器件的线性度等性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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