[发明专利]一种高效率太赫兹波参量振荡器有效
申请号: | 201811184829.6 | 申请日: | 2018-10-11 |
公开(公告)号: | CN109301681B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 邴丕彬;王花;谭联;袁胜;李忠洋;袁斌;李永军;邓荣鑫;周玉 | 申请(专利权)人: | 华北水利水电大学 |
主分类号: | H01S1/02 | 分类号: | H01S1/02 |
代理公司: | 郑州中原专利事务所有限公司 41109 | 代理人: | 王晓丽 |
地址: | 450000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 一种高效率太赫兹波参量振荡器,包括泵浦源和周期反转GaP晶体,包括泵浦源、反射镜、周期反转GaP晶体。泵浦光循环泵浦周期反转GaP晶体,经准相位匹配光学参量效应产生多束斯托克斯(Stokes)光和多束太赫兹(THz)波。产生的多束Stokes光与pump光共线传播,产生的多束THz波垂直于周期反转GaP晶体表面出射。在光学参量过程中,Stokes光和pump光可以循环使用,有效提高pump光利用效率。产生的THz波垂直于周期反转GaP晶体表面出射,不需要任何耦合输出装置,有效减小THz波输出损耗。一束pump光可以产生多束THz波,有效提高光学转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效率 赫兹 参量 振荡器 | ||
【主权项】:
1.一种高效率太赫兹波参量振荡器,其特征在于:包括泵浦源(1)和周期反转GaP晶体,周期反转GaP晶体包括第一周期反转GaP晶体(8)、第二周期反转GaP晶体(9)、第三周期反转GaP晶体(10)和第四周期反转GaP晶体(11),在第一周期反转GaP晶体(8)与泵浦源(1)之间由前向后依次设置第一反射镜(3)、第二反射镜(4)和第一谐振腔镜(5),在第一周期反转GaP晶体(8)一侧设置第二谐振腔镜(6);泵浦源(1)发出的泵浦光(2)经第一反射镜(3)和第二反射镜(4)后,部分通过第一谐振腔镜(5)后垂直入射第一周期反转GaP晶体(8)后,在第一周期反转GaP晶体(8)的反射面发生全反射后垂直进入第二周期反转GaP晶体(9),泵浦光(2)在第二周期反转GaP晶体(9)的反射面发生全反射后垂直进入第三周期反转GaP晶体(10),泵浦光(2)在第三周期反转GaP晶体(10)的反射面发生全反射后垂直进入第四周期反转GaP晶体(11),泵浦光(2)在第四周期反转GaP晶体(11)的反射面发生全反射后垂直进入第一周期反转GaP晶体(8),形成泵浦光(2)的第一个循环周期;泵浦光(2)垂直入射第一周期反转GaP晶体(8),在第一周期反转GaP晶体(8)的反射面发生全反射后垂直进入第二周期反转GaP晶体(9),泵浦光(2)在第二周期反转GaP晶体(9)的反射面发生全反射后垂直进入第三周期反转GaP晶体(10),泵浦光(2)在第三周期反转GaP晶体(10)的反射面发生全反射后垂直进入第四周期反转GaP晶体(11),泵浦光(2)在第四周期反转GaP晶体(11)的反射面发生全反射后垂直进入第一周期反转GaP晶体(8),形成泵浦光(2)的第二个循环周期;以此类推,泵浦光(2)在第一周期反转GaP晶体(8)、第二周期反转GaP晶体(9)、第三周期反转GaP晶体(10)和第四周期反转GaP晶体(11)之间循环N个周期,N为正整数,直至泵浦光(2)在第四周期反转GaP晶体(11)的反射面发生全反射后不再入射第一周期反转GaP晶体(8),而入射第二谐振腔镜(6),循环结束,泵浦光(2)垂直入射第二谐振腔镜(6)后发生全反射,沿原路返回;泵浦光传播的平面为X轴和Y轴所确定的平面,Z轴垂直于光束传播的平面,X轴与泵浦源出射的泵浦光的方向平行,且泵浦源出射的泵浦光的方向为X轴正向;沿X轴方向往返传播的泵浦光(2)在第一周期反转GaP晶体(8)的全反射点通过准相位匹配光学参量效应产生Stokes光(7)和第一太赫兹波(12),产生的Stokes光(7)与泵浦光(2)共线传播,产生的第一太赫兹波(12)垂直于第一周期反转GaP晶体(8)的全反射面出射;沿Y轴方向往返传播的泵浦光(2)在第一周期反转GaP晶体(8)的全反射点通过准相位匹配光学参量效应产生Stokes光(7)和第一太赫兹波(12),产生的Stokes光(7)与泵浦光(2)共线传播,产生的第一太赫兹波(12)垂直于第一周期反转GaP晶体(8)的全反射面出射,在泵浦光(2)的N个循环周期内,第一周期反转GaP晶体(8)中产生N束第一太赫兹波(12);沿X轴方向往返传播的泵浦光(2)在第二周期反转GaP晶体(9)的全反射点通过准相位匹配光学参量效应产生Stokes光(7)和第二太赫兹波(13),产生的Stokes光(7)与泵浦光(2)共线传播,产生的第二太赫兹波(13)垂直于第二周期反转GaP晶体(9)的全反射面出射;沿Y轴方向往返传播的泵浦光(2)在第二周期反转GaP晶体(9)的全反射点通过准相位匹配光学参量效应产生Stokes光(7)和第二太赫兹波(13),产生的Stokes光(7)与泵浦光(2)共线传播,产生的第二太赫兹波(13)垂直于第二周期反转GaP晶体(9)的全反射面出射,在泵浦光(2)的N个循环周期内,第二周期反转GaP晶体(9)中产生N束第二太赫兹波(13);沿X轴方向往返传播的泵浦光(2)在第三周期反转GaP晶体(10)的全反射点通过准相位匹配光学参量效应产生Stokes光(7)和第三太赫兹波(14),产生的Stokes光(7)与泵浦光(2)共线传播,产生的第三太赫兹波(14)垂直于第三周期反转GaP晶体(10)的全反射面出射;沿Y轴方向往返传播的泵浦光(2)在第三周期反转GaP晶体(10)的全反射点通过准相位匹配光学参量效应产生Stokes光(7)和第三太赫兹波(14),产生的Stokes光(7)与泵浦光(2)共线传播,产生的第三太赫兹波(14)垂直于第三周期反转GaP晶体(10)的全反射面出射,在泵浦光(2)的N个循环周期内,在第三周期反转GaP晶体(10)中产生N束第三太赫兹波(14);沿X轴方向往返传播的泵浦光(2)在第四周期反转GaP晶体(11)的全反射点通过准相位匹配光学参量效应产生Stokes光(7)和第四太赫兹波(15),产生的Stokes光(7)与泵浦光(2)共线传播,产生的第四太赫兹波(15)垂直于第四周期反转GaP晶体(11)的全反射面出射;沿Y轴方向往返传播的泵浦光(2)在第四周期反转GaP晶体(11)的全反射点通过准相位匹配光学参量效应产生Stokes光(7)和第四太赫兹波(15),产生的Stokes光(7)与泵浦光(2)共线传播,产生的第四太赫兹波(15)垂直于第四周期反转GaP晶体(11)的全反射面出射,在泵浦光(2)的N个循环周期内,在第四周期反转GaP晶体(11)中产生N束第四太赫兹波(15)。
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