[发明专利]一种去除二甲基硅氧烷环体中线性硅氧烷的方法有效
| 申请号： | 201811184869.0 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN109384809B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 伊港;孙江;尹金;胡庆超;周玲 | 申请（专利权）人： | 山东东岳有机硅材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/21 | 分类号： | C07F7/21 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 耿霞 |
| 地址： | 256401 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明一种去除二甲基硅氧烷环体中线性硅氧烷的方法，属于有机硅生产技术领域，以工业级二甲基硅氧烷环体为原料，控制反应温度，以特定流速依次通过分子筛床、活性炭过滤器和超滤膜过滤器，其中，原料须在分子筛床和活性炭过滤器中停留，纯化后的二甲基硅氧烷环体水分含量低于5ppm，线性硅氧烷含量低于10ppm。本发明一种去除二甲基硅氧烷环体中线性硅氧烷的方法，对反应设备要求低，国产设备完全可以满足要求，设备投资小；避免了精馏等高耗能过程；不采用价格昂贵的络合剂或危险性高的氧化剂，所用的耗材均为市场常用原料，成本低，安全性高；设备简单，操作方便且处理能力大，适合推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 甲基 硅氧烷环体中 线性 硅氧烷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种去除二甲基硅氧烷环体中线性硅氧烷的方法，其特征在于，以工业级二甲基硅氧烷环体为原料，控制物料温度，依次通过分子筛床、活性炭过滤器和超滤膜过滤器，其中，原料须在分子筛床和活性炭过滤器中停留，纯化后的二甲基硅氧烷环体水分含量低于5ppm，线性硅氧烷含量低于10ppm。
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