[发明专利]一种离子注入方法有效
| 申请号： | 201811186467.4 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109256311B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 丁桃宝 | 申请（专利权）人： | 苏州晋宇达实业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J37/244;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 | 代理人： | 李宏伟 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港市经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子注入方法，其具体包括以下步骤：S1、对离子注入机进行工作前的调试；S2、产生离子；S3、利用萃取系统对离子进行萃取；S4、离子筛选；S5、离子束加速；S6、中和离子束的正电荷；S7、离子束注入到硅片内，在离子注入的过程中，硅片绕X1轴公转、绕X2轴自转并沿Z轴方向上下移动，而同时利用法拉第杯对注入过程中离子束的束流值进行实时检测并将检测结果发给控制器，控制器根据离子束的实时束流值进行智能控制硅片的运动。该离子注入方法提高离子注入过程中的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入方法，该离子注入方法依托于离子注入机，其具体包括以下步骤：S1、对离子注入机进行工作前的调试，将硅片放入到硅片放置驱动装置内的自转盘架上，硅片放置驱动装置处于注入工位；S2、气体箱内的气体进入离子源中电离产生离子；S3、利用萃取系统对离子进行萃取，使离子从离子源内抽出并加速，整个萃取过程处于真空环境下进行；S4、利用离子质量分析器对萃取的离子进行精确筛选；S5、利用加速系统对萃取后得到的离子束进行加速；S6、利用电子淋浴器产生的电子中和离子束的正电荷；S7、高速运行的离子束通过硅片放置驱动装置的离子注入窗口注入到硅片内，在离子注入的过程中，硅片放置驱动装置带动硅片绕X1轴公转、绕X2轴自转并沿Z轴方向上下移动，而同时利用法拉第杯对注入过程中离子束的束流值进行实时检测并将检测结果发给控制器，控制器根据离子束的实时束流值进行智能控制硅片的运动。
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