[发明专利]用于无中微子双贝塔衰变探测的钼酸钇钠晶体的制备方法在审
| 申请号： | 201811186469.3 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109321978A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 潘尚可;张建裕;潘建国;陈红兵 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B11/00;C30B33/02 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 周珏 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于无中微子双贝塔衰变探测的钼酸钇钠晶体的制备方法，其包括以下步骤：制备晶体生长原料；利用坩埚下降法使晶体生长原料在封闭环境中自发成核或晶种接种进行晶体生长，生长出深蓝色透明的钼酸钇钠单晶；将深蓝色透明的钼酸钇钠单晶在温度为850℃～900℃的氧气气氛下保温24～48小时进行退火处理，退火过程中升温速率与降温速率均为40～60℃/小时，退火后得到无色透明的钼酸钇钠晶体；优点是由于晶体生长原料在封闭环境中自发成核或晶种接种进行晶体生长，因此生长得到的透明的钼酸钇钠单晶呈深蓝色；而后在氧气气氛下退火处理可有效消除透明的钼酸钇钠单晶的着色现象，并提高透明的钼酸钇钠单晶的光输出，可用于探测无中微子双贝塔衰变。 | ||
| 搜索关键词： | 钼酸钇钠 透明的 单晶 衰变 晶体生长原料 钼酸钇钠晶体 深蓝色 制备 探测 封闭环境 晶体生长 退火处理 氧气气氛 自发成核 晶种 接种 退火 坩埚下降法 退火过程 着色现象 光输出 生长 可用 保温 | ||
【主权项】：
1.一种用于无中微子双贝塔衰变探测的钼酸钇钠晶体的制备方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一：制备晶体生长原料；步骤二：利用坩埚下降法使晶体生长原料在封闭环境中自发成核或晶种接种进行晶体生长，生长出深蓝色透明的钼酸钇钠单晶；步骤三：将深蓝色透明的钼酸钇钠单晶在温度为850℃～900℃的氧气气氛下保温24～48小时进行退火处理，退火处理过程中升温速率与降温速率均为40～60℃/小时，退火后得到无色透明的钼酸钇钠晶体。
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