[发明专利]氢化非晶硅薄膜制备方法有效
| 申请号： | 201811187633.2 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109545656B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 周耐根;罗耀榕;周浪;黄海宾 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种氢化非晶硅薄膜制备方法，包括：S1将单晶硅片清洗并制绒；S2在硅片表面预沉积氢等离子；S3在硅片表面进一步沉积SiH |
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| 搜索关键词： | 氢化 非晶硅 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氢化非晶硅薄膜制备方法，其特征在于，所述制备方法中包括：S1 将单晶硅片清洗并制绒；S2 在硅片表面预沉积氢等离子；S3 在硅片表面进一步沉积SiHx等离子体基团得到氢化非晶硅薄膜，其中，x=1或2或3；S4 对氢化非晶硅薄膜进行退火处理，得到高钝化的氢化非晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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