[发明专利]存储器件及其控制方法在审

专利信息
申请号: 201811187661.4 申请日: 2018-10-11
公开(公告)号: CN109712660A 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 金慧珠;孙皛凤;李美香 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C16/16 分类号: G11C16/16;G11C16/10;G11C16/26
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 杨姗
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 本文提供的存储器件可以包括无效位电路和单元阵列。在用于控制这种存储器件的方法中,无效位电路可以从存储器控制器接收无效控制命令,以将无效位数据更新到彼此不同的第一状态和第二状态中的一个,无效位电路可以从存储器控制器接收读控制命令,并且当无效位数据处于第一状态时可以提供无效信号,当无效位数据处于第二状态时无效位电路可以发送数据请求,并且单元阵列可以接收数据请求并提供数据。
搜索关键词: 无效位 存储器件 电路 位数据 存储器控制器 单元阵列 状态时 接收数据 控制命令 无效信号 读控制 更新
【主权项】:
1.一种存储器件,包括:无效位电路;以及单元阵列,其中,所述无效位电路被配置为从存储器控制器接收无效控制命令,并将无效位数据更新到彼此不同的第一状态和第二状态中的一个,其中,所述无效位电路被配置为从所述存储器控制器接收读控制命令,并且当所述无效位数据处于所述第一状态时提供无效信号,其中,所述无效位电路被配置为当所述无效位数据处于所述第二状态时向所述单元阵列发送数据请求,以及其中,所述单元阵列被配置为接收所述数据请求并提供数据。
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