[发明专利]半导体存储器件及其擦除方法有效
| 申请号： | 201811187885.5 | 申请日： | 2014-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN109584921B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 兪登觉 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/08 | 分类号： | G11C8/08 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明的一个实施例的半导体存储器件可以包括：存储器单元阵列，具有多个存储器单元；传输晶体管组，具有耦接在全局字线与局部字线之间的正常传输晶体管，局部字线与多个存储器单元耦接；以及地址解码器，与全局字线和块字线耦接正常传输晶体管的栅极共同耦接至块字线，其中，当擦除电压被提供至多个存储器单元的沟道时，地址解码器使通过从块字线的电压中减去全局字线的电压所获得的电压逐步地增大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 擦除 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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