[发明专利]一种基于阻抗分析仪测量磁芯损耗的方法有效

专利信息
申请号: 201811188203.2 申请日: 2018-10-12
公开(公告)号: CN109188103B 公开(公告)日: 2021-04-27
发明(设计)人: 陈为;柳百毅;汪晶慧 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: G01R27/26 分类号: G01R27/26
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350108 福建省福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及一种基于阻抗分析仪测量磁芯损耗的方法,基于阻抗分析仪自动平衡电桥的高精度阻抗测量原理,结合交流功率计法中双绕组测量磁芯损耗的概念,提出了一种利用磁芯频率阻抗特性来表征磁芯损耗,并能够在大信号励磁和宽频带范围内测量磁芯损耗的方法。该方法由阻抗分析仪、功率放大器,宽频带高精度的分压器和分流器,以及待测磁件构成,且待测磁件采用双绕组,依据阻抗分析仪高精度阻抗测量的特点,可直接测量高功率密度下的磁芯频率阻抗特性,并以此表征磁芯单位电流损耗,具有较高的精度。
搜索关键词: 一种 基于 阻抗 分析 测量 损耗 方法
【主权项】:
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