[发明专利]具有亥姆霍兹共振器的光检测器有效
| 申请号： | 201811189227.X | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109668627B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 艾米莉·斯蒂弗勒;保罗·谢瓦里尔;让-卢克·佩劳德;法布里斯·帕尔多;帕特里克·布尚;利雅得·海达尔;迈克尔·凡尔登 | 申请（专利权）人： | 国家宇航研究所;国家科研中心 |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;王艳春 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 光检测器(10)包括亥姆霍兹共振器和光敏结构(4)，该光敏结构(4)设置在形成亥姆霍兹共振器的部分的电场集中间隔中。具体地，这种光检测器适合用于图像应用。在光敏结构的检测光谱间隔内，待检测辐射的波长由亥姆霍兹共振器的尺寸确定。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 亥姆霍兹 共振器 检测器 | ||
【主权项】：
1.一种光检测器(10)，包括亥姆霍兹共振器，有效地用于检测具有包括在0.3μm与15μm之间的波长的至少一个电磁辐射(R)，所述亥姆霍兹共振器包括：‑电绝缘容积(1)；以及‑金属面(11)至金属面(14)，所述金属面(11)至所述金属面(14)沿着至少一个回路路径围绕所述绝缘容积(1)，所述至少一个回路路径除所述回路路径的两个中断之外形成围绕所述绝缘容积的回路，使得所述金属面形成两个电极，所述两个电极由至少一个间隙彼此分隔，所述至少一个间隙称为电场集中间隙(ZC)，并且所述电场集中间隙(ZC)包括所述回路路径的所述中断；所述电场集中间隙(ZC)具有在两个电极之间的、比所述绝缘容积(1)的厚度小的厚度，所述厚度沿着共同的方向(D3)进行测量，使得当所述辐射(R)在所述共振器上入射时，由所述辐射在所述共振器中产生的电场在所述电场集中间隙中比在所述绝缘容积中强度更大，所述绝缘容积(1)和所述金属面(11)至所述金属面(14)的尺寸适合用于当所述辐射(R)的波长在0.3μm与15μm之间变化时，在所述电场集中间隙(ZC)中产生所述电场的共振，以及所述光检测器(10)还包括：‑至少一个光敏结构(4)，所述至少一个光敏结构(4)基于至少一个半导体，用于吸收所述辐射(R)，至少部分地设置在所述电场集中间隙(ZC)中，并且与所述两个电极中的每个均电接触；以及‑输出电连接部(C1)和输出电连接部(C2)，所述输出电连接部(C1)和所述输出电连接部(C2)为一对一地电连接至所述两个电极，以及适合用于当所述辐射(R)在所述亥姆霍兹共振器上入射时，发射在所述光敏结构(4)中产生的检测电信号，所述光敏结构(4)具有检测光谱间隔，所述检测光谱间隔包括所述电场的共振的光谱间隔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家宇航研究所;国家科研中心，未经国家宇航研究所;国家科研中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811189227.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
