[发明专利]铜铟镓硒太阳能电池吸收层、制备方法及太阳能电池在审
| 申请号： | 201811189521.0 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109273542A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 叶亚宽;郭逦达;赵树利 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 刘诚 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法，其包括在背电极层表面通过磁控溅射法制备铜镓铟金属叠层，形成铜铟镓预制膜；在硒气氛中对所述铜铟镓预制膜进行退火，形成铜铟镓硒预制吸收层；对所述铜铟镓硒预制吸收层进行硒、铟、镓共蒸发，形成铜铟镓硒太阳能电池吸收层。本申请提供的方法制得的铜铟镓硒太阳能电池吸收层与上层缓冲层结合更利于获得掩埋PN结，从而提高了铜铟镓硒太阳能电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 铜铟镓硒太阳能电池 吸收层 铜铟镓硒 铜铟镓 预制膜 制备 预制 退火 太阳能电池 背电极层 磁控溅射 金属叠层 转换效率 共蒸发 缓冲层 硒气氛 镓铟 申请 掩埋 上层 | ||
【主权项】：
1.一种铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，包括：S10，在背电极层(100)表面通过磁控溅射法制备铜镓铟金属叠层(200)，形成铜铟镓预制膜(10)；S20，在硒气氛中对所述铜铟镓预制膜(10)进行退火，形成铜铟镓硒预制吸收层(20)；S30，对所述铜铟镓硒预制吸收层(20)进行硒、铟、镓共蒸发，形成铜铟镓硒太阳能电池吸收层(30)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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