[发明专利]一种GaN基p型栅结构的制备方法

摘要

本发明提供一种GaN基p型栅结构的制备方法，其步骤包括：在氮化镓基材料表面涂敷光刻胶并光刻待刻蚀区域图形；采用干法刻蚀以光刻胶为掩膜，刻蚀暴露区域的GaN cap层和~90%厚度的p型栅层，去除剩余光刻胶；对处理后的氮化镓基材料进行氧化处理；将氮化镓基材料置于腐蚀性溶液中进行腐蚀，得到GaN基p型栅结构。该方法采用干法和湿法混合刻蚀，完成GaN基p型栅结构的制备；其中的湿法腐蚀解决了干法刻蚀引起的表面损伤问题，其自停止特性保证了刻蚀深度的均匀性；其中的干法刻蚀将湿法腐蚀需要刻蚀的厚度明显缩小，可大大减小单纯采用湿法腐蚀所需氧化和腐蚀时间，不仅提高了效率，更减小了侧向腐蚀效应，保证了工艺可控性。

主权项

1.一种GaN基p型栅结构的制备方法，其步骤包括：1）在氮化镓基材料表面涂敷光刻胶，并光刻待刻蚀区域图形；氮化镓基材料为定制化外延片结构，所述定制化外延片结构自下而上包括：外延衬底、高阻GaN缓存层、GaN沟道层、势垒层、GaN截止层、p型栅层、GaN盖帽层；2）采用干法刻蚀技术，以光刻胶为掩膜，刻蚀氮化镓基材料表面的待刻蚀区域的GaN盖帽层及下面对应的90%±5%厚度的p型栅层，再去除剩余光刻胶；3）对经过步骤2）处理后的氮化镓基材料进行氧化处理，即对经过刻蚀后剩余厚度的p型栅层进行氧化处理；4）将氧化处理后的氮化镓基材料整体置于腐蚀性溶液中进行腐蚀，即对氧化后的p型栅层进行腐蚀处理，得到GaN基p型栅结构。