[发明专利]一种应用于真空弧推进器的自触发方法有效

专利信息
申请号: 201811190199.3 申请日: 2018-10-12
公开(公告)号: CN109441746B 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 崔伟胜;刘文正;高永杰 申请(专利权)人: 北京交通大学
主分类号: F03H1/00 分类号: F03H1/00
代理公司: 北京市商泰律师事务所 11255 代理人: 麻吉凤
地址: 100044 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例提供了一种应用于真空弧推进器的自触发方法。该方法包括:选取碳基材料作为触发电极;设置自触发电极结构,自触发电极结构包括:阴极、阳极、触发电极和绝缘介质;阴极为一端为锥状的圆柱状结构,阳极为喇叭状喷嘴结构,绝缘介质为圆筒状结构,阴极包覆于绝缘介质的内部,阳极固定于绝缘介质的一端;均匀布置多个触发电极穿透绝缘介质,尖端在绝缘介质的内表面突出;在触发电极(和阴极)与阳极之间施加低电压,通过触发电极与阳极之间生成沿面放电,进而生成导通阴极和阳极的等离子体,实现低电压自触发,在阴极与阳极之间建立真空弧。本发明提出的自触发方法可以在没有外部触发电源的情况下实现可靠的低电压触发。
搜索关键词: 一种 应用于 真空 推进器 触发 方法
【主权项】:
1.一种应用于真空弧推进器的自触发方法,其特征在于,该方法包括:选取具有场致电子发射特性的微米级结构尺寸的碳基材料作为触发电极;设置自触发电极结构,所述自触发电极结构包括:阴极、阳极、触发电极和绝缘介质;其中,将所述阴极设置为一端为锥状的圆柱状结构,所述阳极设置为喇叭状喷嘴结构,所述绝缘介质设置为圆筒状结构,所述阴极包覆于所述绝缘介质的内部,所述阳极固定于所述绝缘介质的一端;以及,均匀布置多个所述触发电极,并将所述触发电极穿透所述绝缘介质,使所述触发电极的尖端在所述绝缘介质的内表面突出;在所述触发电极、所述阴极与所述阳极之间施加低电压,通过所述触发电极与所述阳极之间生成沿面放电,进而生成导通所述阴极和所述阳极的等离子体,实现低电压自触发,在所述阴极与所述阳极之间建立真空弧。
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