[发明专利]一种改性SnBi系亚共晶合金的方法及得到的合金有效
申请号: | 201811190289.2 | 申请日: | 2018-10-12 |
公开(公告)号: | CN109518019B | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 张少明;贺会军;刘希学;朱捷;王志刚;赵朝辉;张富文;安宁;温余苗;卢彩涛;徐蕾;林刚 | 申请(专利权)人: | 北京康普锡威科技有限公司;山东康普锡威新材料科技有限公司 |
主分类号: | C22C1/03 | 分类号: | C22C1/03;C22C13/02 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 佟林松 |
地址: | 101407 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种利用拓扑短程有序结构改性SnBi系亚共晶合金的方法,属于材料改性技术领域。该方法可以通过温度要素诱导和成分要素诱导实现拓扑短程有序结构的转变。本发明方法抑制了初生β‑Sn的析出,大幅增加共晶组织的比例,实现了合金凝固过程中亚共晶组织向伪共晶组织的转变。该方法对合金晶粒的细化程度超过了传统利用微合金添加改性方法的几个量级。保证了合金具有更加优异的综合性能。同时,利用这一结构转变的不可逆性实现了对组织遗传性的有益利用。 | ||
搜索关键词: | 一种 改性 snbi 系亚共晶 合金 方法 得到 | ||
【主权项】:
1.一种利用拓扑短程有序结构改性SnBi系亚共晶合金的方法,其特征在于,该方法包括:根据SnBi系亚共晶合金成分选择原料,将原料混合进行熔炼,得到合金熔体;在合金熔体中引入具有不可逆转变特性的拓扑短程有序结构,将合金成分与拓扑短程有序结构混合均匀,降温得到改性SnBi系亚共晶合金。
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