[发明专利]集成电路存储器装置及其操作方法在审
| 申请号： | 201811190300.5 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110069357A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 延应准;金范俊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F11/07 | 分类号： | G06F11/07;G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种集成电路装置包括非易失性存储器、第一缓冲存储器和第二缓冲存储器以及控制器。第一缓冲存储器和第二缓冲存储器中的每一个被构造为响应于写请求缓冲将被写入非易失性存储器的写数据，并且还响应于读请求缓冲从非易失性存储器接收到的读数据。提供了控制器，其基于与数据准确性有关的至少一个标准评价第一缓冲存储器。所述控制器被构造为：当评价揭示超过标准时，响应于写请求将写数据中的至少一些从第一缓冲存储器重定向至第二缓冲存储器，并且当评价揭示超过标准时，响应于读请求将读数据中的至少一些从第一缓冲存储器重定向至第二缓冲存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲存储器 控制器 非易失性存储器 响应 标准时 读请求 读数据 写请求 写数据 重定向 缓冲 写入非易失性存储器 集成电路存储器 集成电路装置 数据准确性 标准评价 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路装置，包括：非易失性存储器；第一缓冲存储器，其被构造为分别响应于写请求缓冲将被写入所述非易失性存储器的写数据以及响应于读请求缓冲从所述非易失性存储器接收到的读数据；第二缓冲存储器，其被构造为分别响应于写请求缓冲将被写入所述非易失性存储器的写数据以及响应于读请求缓冲从所述非易失性存储器接收到的读数据；以及控制器，其耦接至所述第一缓冲存储器和所述第二缓冲存储器，所述控制器被构造为基于与存储在所述第一缓冲存储器中的数据的准确性有关的至少一个标准评价所述第一缓冲存储器，并且还被构造为：(i)当所述评价揭示超过所述标准时，响应于写请求将写数据中的至少一些从所述第一缓冲存储器重定向至所述第二缓冲存储器，以及(i i)当所述评价揭示超过所述标准时，响应于读请求将读数据中的至少一些从所述第一缓冲存储器重定向至所述第二缓冲存储器。
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