[发明专利]一种GaN基材料的凹槽制备方法有效
| 申请号： | 201811191206.1 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109411351B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 徐哲;周阳 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN基材料的凹槽制备方法，其制备步骤包括：在特定结构的氮化镓基材料表面涂敷光刻胶并光刻非凹槽区域；刻蚀非凹槽区域并去除光刻胶；将氮化镓基材料置于腐蚀性溶液中进行腐蚀；所述氮化镓基材料的结构自下而上包括：外延衬底、GaN缓冲层、牺牲层、势垒层、GaN盖帽层。本发明制备的氮化镓基凹槽结构，由于凹槽区域基于全湿法腐蚀工艺，同时由于腐蚀溶液对牺牲层的高选择比，使其腐蚀深度均匀且表面无损伤，有利于提升器件性能，同时该方法简单，具有很高的可操作性和可重复性，利于大规模实施。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 基材 凹槽 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基材料的凹槽制备方法，其特征在于制备步骤为：1）在氮化镓基材料表面涂敷光刻胶并光刻非凹槽区域；2）再刻蚀非凹槽区域并去除光刻胶；3）然后将氮化镓基材料置于腐蚀性溶液中进行腐蚀，完成GaN基材料的凹槽制备；所述氮化镓基材料自下而上包括：外延衬底、GaN缓冲层、牺牲层、势垒层、GaN盖帽层；所述氮化镓基材料表面指GaN盖帽层；所述非凹槽区域被刻蚀深度部分至少包括牺牲层、势垒层、GaN盖帽层；所述制备得完成的凹槽的结构自下而上包括外延衬底、GaN缓冲层。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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