[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
| 申请号： | 201811191785.X | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109659256A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 李映一;崔重奉;李昇浩;朴贵秀;宋吉勋;吴承勋;金钟翰 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 韩国忠淸南道天安*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置包括支承构件、处理液喷嘴和控制器，支承构件用于支承基板，处理液喷嘴用于供应处理液至定位在支承构件上的基板，控制器用于控制处理液喷嘴使得在低流量供应段和高流量供应段中将供应至基板的处理液不同地排出，高流量供应段中的每小时平均排出量多于低流量供应段中的每小时平均排出量。 | ||
| 搜索关键词： | 基板处理装置 支承构件 处理液喷嘴 基板处理 控制器 处理液 低流量 高流量 排出量 基板 控制处理 支承基板 液喷嘴 地排 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其包括：支承构件，其用于支承基板；处理液喷嘴，其用于将所述处理液供应至定位在所述支承构件上的所述基板；和控制器，其用于控制所述处理液喷嘴，使得在低流量供应段和高流量供应段中将供应到所述基板的所述处理液不同地排出，所述高流量供应段具有多于所述低流量供应段的每小时平均排出量的每小时平均排出量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
