[发明专利]场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201811191978.5 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN111048418A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗叡 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种场效应晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：在半导体衬底上生长栅氧化层；在栅氧化层上沉积多晶硅层；光刻形成多晶硅栅极；形成轻掺杂漏极LDD间隔物；在LDD区进行注入角度小于90度的氟离子注入；进行Halo和LDD离子注入；形成侧壁间隔物；进行源/漏区离子注入并进行源/漏区快速退火。预先注入的氟离子将会取代栅极氧化物中的氧，使得被取代的氧原子继续和硅反应，使得LDD区域靠近栅极附近的氧化层厚度增加；在器件操作时，可降低栅极与LDD区间的电场，减少热载子效应所产生的漏电流，提升器件操作时的可靠度，使器件工作寿命增加。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811191978.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种门铃智能控制系统
- 下一篇：一种智能家居设备套装的出货方式
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
