[发明专利]一种MPCVD设备控温装置及方法在审
申请号: | 201811192174.7 | 申请日: | 2018-10-12 |
公开(公告)号: | CN109385625A | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 黄翀;彭琎 | 申请(专利权)人: | 长沙新材料产业研究院有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/52;C23C16/517;C23C16/27 |
代理公司: | 武汉智汇为专利代理事务所(普通合伙) 42235 | 代理人: | 李恭渝 |
地址: | 410000 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种MPCVD设备控温装置,包括多个基片台,相邻基片台的间隔距离为1mm‑10mm,每个基片台配置单独的冷却水路,所述冷却水路为常规冷却水路设计,所述冷却水路可通过控制通入冷却水的流速、流量,控制基片台的冷却速度。通过控制基片台的温度,调节控制金刚石生长过程中基底的温度,进而在金刚石沉积过程中控制基板温度。在金刚石生长过程中,通过控制散热对金刚石表面温度进行控制,使沉积过程中各颗金刚石表面温度接近,这样,同一批次生产的金刚石的生长速率以及品质一致,有利于批量生产。 | ||
搜索关键词: | 冷却水路 基片台 金刚石生长过程 金刚石表面 控温装置 金刚石沉积过程 金刚石 间隔距离 控制基板 相邻基片 冷却水 散热 基底 沉积 冷却 生产 生长 配置 | ||
【主权项】:
1.一种MPCVD设备控温装置,其特征在于包括多个基片台,每个基片台配置单独的冷却流道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长沙新材料产业研究院有限公司,未经长沙新材料产业研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811192174.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:辐射屏障
- 下一篇:氮化硅膜的成膜方法和成膜装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的