[发明专利]一种铽参杂的硅酸镓镧晶体及其提拉法生长方法在审
| 申请号： | 201811192337.1 | 申请日： | 2018-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN109183155A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 罗毅 | 申请（专利权）人： | 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230601 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明属于磁光压电晶体生长技术领域，具体涉及一种铽参杂的硅酸镓镧晶体及其提拉法生长方法，一种铽参杂的硅酸镓镧晶体，其分子式可表示为Tb3xLa3（1‑x）Ga5SiO14，其中，x的取值范围为：0 |
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| 搜索关键词： | 硅酸镓镧 提拉法生长 光纤电流传感器 光学隔离器 激光调制器 磁光开关 磁光器件 晶体结构 系统领域 信息处理 转换功能 电晶体 光电磁 光网络 可用 应用 生长 通讯 | ||
【主权项】：
1.一种铽参杂的硅酸镓镧晶体，其特征在于：其分子式可表示为Tb3xLa3（1‑x）Ga5SiO14，其中，x 的取值范围为：0
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