[发明专利]中子鬼成像仪有效
申请号: | 201811193567.X | 申请日: | 2018-10-12 |
公开(公告)号: | CN109342462B | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 张晓;刘江涛;童红;王声权;王新峰;邓雄;付云 | 申请(专利权)人: | 贵州民族大学 |
主分类号: | G01N23/00 | 分类号: | G01N23/00 |
代理公司: | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人: | 施秀瑾 |
地址: | 550025 *** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | 本发明公开了一种中子鬼成像仪,包括:中子源,用于产生中子束;磁体结构,朝向中子束的发射方向设置,用于对中子束进行空间调制,并将调制后的中子束照射至待成像物体表面;至少一个中子传感器,与待成像物体并行设置,用于接收通过待成像物体的中子束;成像装置,分别与磁体结构和中子传感器连接,用于根据接收到的中子束及磁体结构内中子束照射处的磁极化方向分布函数对待成像物体进行重构,或根据接收到的中子束及空间调制后中子束的磁极化方向分布函数对待成像物体进行重构。其只需要一个或多个中子传感器,无需对中子束聚焦成像,也无需中子传感器阵列就能实现发明目的,结构简单,体积小,成本低。 | ||
搜索关键词: | 中子 成像 | ||
【主权项】:
1.一种中子鬼成像仪,其特征在于,所述中子鬼成像仪中包括:中子源,用于产生中子束;磁体结构,朝向中子束的发射方向设置,用于对中子束进行空间调制,并将调制后的中子束照射至待成像物体表面;至少一个中子传感器,与待成像物体并行设置,用于接收通过待成像物体的中子束;成像装置,分别与磁体结构和中子传感器连接,用于根据接收到的中子束及磁体结构内中子束照射处的磁极化方向分布函数对待成像物体进行重构,或根据接收到的中子束及空间调制后中子束的磁极化方向分布函数对待成像物体进行重构。
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