[发明专利]具有电压相关的面内磁各向异性的MRAM在审
| 申请号： | 201811193964.7 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109712655A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | G·米哈拉维克;J·卡提恩 | 申请（专利权）人： | 闪迪技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明题为“具有电压相关的面内磁各向异性的MRAM”。本发明公开了用于磁阻随机存取存储器的装置、系统和方法。用于存储数据的磁隧道结包括固定层、阻挡层和复合自由层。阻挡层可以设置在固定层和复合自由层之间。复合自由层可包括一个或多个铁磁层。复合自由层可包括一个或多个各向异性诱导层，该一个或多个各向异性诱导层响应于垂直偏置电压而诱导针对所述复合自由层的面内磁各向异性。 | ||
| 搜索关键词： | 复合自由层 面内磁各向异性 固定层 诱导层 阻挡层 磁阻随机存取存储器 磁隧道结 存储数据 偏置电压 铁磁层 诱导 垂直 响应 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：磁隧道结，所述磁隧道结用于存储数据，所述磁隧道结包括固定层、阻挡层和复合自由层，所述阻挡层设置在所述固定层和所述复合自由层之间，所述复合自由层包括：一个或多个铁磁层；一个或多个各向异性诱导层，所述一个或多个各向异性诱导层响应于垂直偏置电压而诱导针对所述复合自由层的面内磁各向异性。
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