[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和一种液晶显示面板有效
申请号: | 201811195510.3 | 申请日: | 2018-10-15 |
公开(公告)号: | CN109148490B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 马远洋;陈黎暄;林旭林 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及显示领域,尤其涉及液晶显示器,具体涉及阵列基板的制造方法,该阵列基板的制造方法通过在现有技术中的去光阻和利用CVD设备进行化学气相沉积这两个步骤之间对玻璃基板上的图案化的金属线进行氧化处理来改善带有弧形的交叉金属结构产生的漏光现象,此方法直接利用CVD设备对金属进行氧化,在具备较快的氧化速度的同时也不会改变正常的阵列制程顺序,因此,上述液晶显示器的制造方法不仅能改善漏光的问题从而提高液晶面板对比度,而且也能保证液晶面板的生产效率及产能。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制造 方法 液晶显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:S101、镀膜,即在玻璃基板的表面镀上一层膜;S102、上光阻,即在所述膜的表面涂上一层光阻液;S103、曝光,即对所述涂有光阻液的玻璃基板进行选择性曝光;S104、显影,即溶解曝光的所述光阻;S105、蚀刻,即蚀刻所述玻璃基板表面的无光阻覆盖的所述膜形成图案化的金属线;S106、氧化,即至少在图案化的所述金属线的侧面通过氧化反应形成金属氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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