[发明专利]浮脱方法在审
| 申请号： | 201811195607.4 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109671811A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 小柳将;竹内宽树 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供浮脱方法，能够有效地进行比以往厚的外延基板上的缓冲层的破坏工序和光器件层的移设工序。该浮脱方法将在外延基板的正面上隔着GaN缓冲层而层叠有光器件层的光器件晶片的该光器件层转移至移设基板，其中，该浮脱方法包含如下的工序：移设基板接合工序，借助接合层将移设基板与该光器件晶片的该光器件层的正面接合而形成复合基板；缓冲层破坏工序，从构成该复合基板的该光器件晶片的该外延基板的背面侧对该外延基板照射对于该外延基板具有透过性且对于该缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光束，从而将该缓冲层破坏；以及光器件层移设工序，在实施了该缓冲层破坏工序之后，将该光器件层从该外延基板剥离而移设至该移设基板。 | ||
| 搜索关键词： | 光器件层 外延基板 缓冲层 光器件晶片 基板 复合基板 基板接合工序 脉冲激光束 接合 接合层 透过性 吸收性 有效地 波长 背面 照射 剥离 | ||
【主权项】：
1.一种浮脱方法，将在外延基板的正面上隔着GaN缓冲层而层叠有光器件层的光器件晶片的该光器件层转移至移设基板，其特征在于，该浮脱方法具有如下的工序：移设基板接合工序，借助接合层将移设基板与该光器件晶片的该光器件层的正面接合而形成复合基板；缓冲层破坏工序，从构成该复合基板的该光器件晶片的该外延基板的背面侧对该外延基板照射对于该外延基板具有透过性并且对于该缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光束，从而将该缓冲层破坏；以及光器件层移设工序，在实施了该缓冲层破坏工序之后，将该光器件层从该外延基板剥离而移设至该移设基板，在该缓冲层破坏工序中，先对该外延基板的中央部实施脉冲激光束的照射，紧接着该中央部而对外周部实施脉冲激光束的照射，从而在该缓冲层破坏工序结束的同时将通过构成该缓冲层的GaN分离成Ga和N2气体而产生的应力释放，通过此时的反作用力，将该光器件层从该外延基板剥离而移设至该移设基板。
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