[发明专利]形成半导体封装的方法在审
| 申请号： | 201811196286.X | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN110323179A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 胡毓祥;余振华;郭宏瑞 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/56 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成半导体封装的方法。在实施例中，所述方法可包括：将集成电路管芯及穿孔包封在模塑化合物中，所述集成电路管芯具有管芯连接件；在所述模塑化合物之上沉积第一介电层；图案化出第一开口，所述第一开口穿过所述第一介电层且暴露出所述集成电路管芯的管芯连接件；将所述第一介电层平坦化；在所述第一介电层之上及所述第一开口中沉积第一晶种层；以及在所述第一晶种层上镀覆延伸穿过所述第一介电层的第一导通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 集成电路管芯 半导体封装 模塑化合物 开口 管芯连接 晶种层 沉积 延伸穿过 导通孔 平坦化 图案化 穿孔 包封 镀覆 穿过 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体封装的方法，其特征在于，包括：将集成电路管芯及穿孔包封在模塑化合物中，所述集成电路管芯具有管芯连接件；将第一介电层沉积在所述模塑化合物之上；图案化出第一开口，所述第一开口穿过所述第一介电层且暴露出所述集成电路管芯的所述管芯连接件；将所述第一介电层平坦化；将第一晶种层沉积在所述第一介电层之上及所述第一开口中；以及在所述第一晶种层上镀覆延伸穿过所述第一介电层的第一导通孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811196286.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种SOI晶圆边缘零空洞的工艺制程方法
- 下一篇：半导体装置及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
