[发明专利]一种具有致密连接层的SiC陶瓷及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201811196408.5 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109400167B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 郭伟明;吴利翔;牛文彬;卫紫君;林锐霖;刘秋宇;林华泰 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B37/00;F28F21/04 |
| 代理公司： | 广东广信君达律师事务所 44329 | 代理人： | 杨晓松 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明属于非氧化物陶瓷连接技术领域，公开了一种具有致密连接层的SiC陶瓷及其制备方法和应用，该陶瓷是将连接材料聚碳硅烷和硅粉，加入溶剂和球磨介质混合，干燥后得到混合粉体；再将混合粉体与无水乙醇混合，经超声分散制备得到浆料，将浆料均匀涂抹于连接母材SiC陶瓷表面，在真空或者氮气下，先升温至1000～1300℃并保温Ⅰ；然后在氮气下升温至1400～1500℃并保温Ⅱ进行连接制得。通过往聚碳硅烷加入硅粉作为填料，在连接过程中利用硅粉氮化体积膨胀的优势弥补前驱体连接体积収缩的缺陷，实现了SiC陶瓷的连接，最终获得具有致密连接层的SiC连接件，SiC陶瓷的连接层的漏率为0～1×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 致密 连接 sic 陶瓷 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种具有致密连接层的SiC陶瓷，其特征在于，是将连接材料聚碳硅烷和硅粉，加入溶剂和球磨介质混合，干燥后得到混合粉体；再将混合粉体与溶剂混合，经超声分散制备得到浆料，将浆料均匀涂抹于连接母材SiC陶瓷表面，在真空或者氮气下，先升温至1000～1300℃并保温Ⅰ；然后在氮气下升温至1400～1500℃并保温Ⅱ进行连接制得。
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