[发明专利]半导体装置的制作方法

摘要

本公开实施例提供含快闪存储器的半导体装置与其制作方法。在一些实施例中，方法包括图案化基板上的第一栅极材料层与栅极绝缘膜，第一栅极材料层包括第一栅极材料，栅极绝缘膜位于第一栅极材料层上；形成第二栅极材料层于基板、栅极绝缘膜、与第一栅极材料层的侧壁上，且第二栅极材料层包括第二栅极材料；蚀刻第二栅极材料层以露出基板与栅极绝缘膜，并沿着第一栅极材料层的每一侧壁提供第二栅极材料层的一部分；以及蚀刻栅极绝缘膜与第一栅极材料层以形成多个栅极结构。

主权项

1.一种半导体装置的制作方法，包括：图案化一基板上的一第一栅极材料层与一栅极绝缘膜，该第一栅极材料层包括第一栅极材料，且该栅极绝缘膜位于该第一栅极材料层上；形成一第二栅极材料层于该基板、该栅极绝缘膜、与该第一栅极材料层的侧壁上，且该第二栅极材料层包括第二栅极材料；蚀刻该第二栅极材料层以露出该基板与该栅极绝缘膜，并沿着该第一栅极材料层的每一侧壁提供该第二栅极材料层的一部分；以及在形成与蚀刻该第二栅极材料层之后，蚀刻该栅极绝缘膜与该第一栅极材料层以形成多个栅极结构。